Cip Pada Diod Laser Submount

Cip pada Diod Laser Submount

Ciri-ciri utama:

Cip pada reka bentuk submount dan pakej bermeterai P Down

Pematuhan RoHS pengikatan AuSn

808nm, 915nm, 975nm panjang gelombang pilihan

Kecekapan elektro-optik yang tinggi

Kebolehpercayaan yang tinggi dan jangka hayat yang panjang

Untuk pengepaman, pencahayaan, pemprosesan bahan dan aplikasi perubatan

PERLINDUNGAN ESD – Nyahcas elektrostatik adalah punca utama kegagalan produk yang tidak dijangka. Ambil langkah berjaga-jaga yang melampau untuk mencegah ESD. Gunakan tali pergelangan tangan, permukaan kerja yang dibumikan dan teknik antistatik yang ketat semasa mengendalikan produk.

Lembaran data:

Nombor Item:COS808DL10

Optik
Panjang Gelombang Tengah	808±5nm
Kuasa output	10W
Lebar Spektrum FWHM	6nm
Kecekapan Cerun	1.0W/A
elektrik
Operasi Iop Semasa	12A
Ambang Arus Ith	1.5A
Voltan Kendalian Vop	1.8V
Kecekapan Penukaran Kuasa	50%
terma
Suhu Operasi	15-55℃
Suhu Penyimpanan	-30~70℃
Pekali Suhu Panjang Gelombang	0.3nm/℃

Lukisan Pakej:

Cool tags: cip pada pembekal diod laser submount, pengilang China, kilang, borong, buatan China