Laser Laser Vertical Stack Diode adalah laser baru yang paling cepat berkembang dan digunakan secara meluas dalam beberapa tahun kebelakangan. Perkembangannya tidak dapat dipisahkan dari pengembangan laser semikonduktor. 1960 sulung laser ruby pertama. Pada tahun 1962 laser semikonduktor persimpangan gallium arsenide homogen pertama keluar. Pada tahun 1963, Newman pertama kali mencadangkan penggunaan semikonduktor sebagai konsep sumber pam laser keadaan pepejal. Dengan daya keluaran LD meningkat, pada tahun 1968 Ross pertama kali menyedari penggunaan laser GaAs Vertical Stack Diode Laser yang dipam laser Nd: YAG. Buat pertama kalinya pada tahun 1973, laser Nd: YAG dipam akhir LD berdenyut dilaporkan dan menunjukkan kelebihan mengepam pam akhir. Chesler dan Singh memberikan model teori laser pam akhir dalam mod multi-melintang dan mod melintang tunggal, dan ambang pam teoritis berdasarkan andaian pam seragam pada dasarnya selaras dengan hasil eksperimen. Pada tahun 1976, laser Nd: YAG dengan pam akhir Laser Vertical Stack Diode yang dipancarkan ultra ringan terus dikendalikan pada suhu bilik. Sejak tahun 1980-an, laser semikonduktor dan rangkaian penyelidikannya telah membuat kejayaan besar, sangat mempromosikan peranti laser keadaan pepejal, pengembangan teknologi dan aplikasi, dan membawa kepada pemulihan komprehensif laser keadaan pepejal. Dengan penampilan struktur sumur kuantum dan pertumbuhan teknologi pertumbuhan kristal seperti pemendapan wap kimia organik logam (MOCVD) dan epitaxy rasuk molekul (MBE), arus ambang LD jelas dikurangkan, kecekapan penukaran dan kuasa output ditingkatkan dengan ketara bertambah baik, kuasa output array laser semikonduktor tunggal 1W hingga 2W Kekuatan output berterusan LD tunggal 100mw hingga 200mw.90 tahun, teknologi dan proses pengeluaran laser Vertical Stack Diode Laser secara beransur-ansur matang, kehidupan, kebolehpercayaan telah bertambah baik, yang mana pengembangan dan penerapan kemajuan baru DPL sangat menonjol. 1992 Amerika Syarikat Laurent - Rivermore National Laboratory berjaya membangunkan laser Vertical Stack Diode berkuasa tinggi kelas kilowatt dengan laser. Pada tahun 1994, Jabatan Tenaga AS mengumumkan persetujuan GG; National Ignition Facility" program. 2001 Akiyama et al. Menggunakan laser Nd: YAG yang dipam sisi tiga arah untuk mendapatkan output laser 5.4kW dengan kecekapan penukaran elektro-optik 22%. Pada tahun 2002 syarikat TRW Amerika Syarikat mengembangkan laser keluaran 5.4kW Vertical Stack Diode Laser yang dipam laser Nd: YAG. Pada tahun 2006 Nordisk Amerika Syarikat berjaya mencapai output laser 19kW. Ringkasnya, DPL adalah laser yang paling dinamis dan menjanjikan.
Oleh kerana laser yang dipam Vertical Stack Diode mempunyai kelebihan kuasa tinggi, output berkualiti tinggi rasuk, kesan haba kecil, kecekapan tinggi dan struktur peranti padat, ia menjadi alat utama teknologi maklumat. Rangkaian aplikasinya yang luas, jarak gelombang yang luas, kelajuan pengembangan adalah jenis laser lain yang tidak dapat ditandingi.
Pada masa ini, bidang laser keadaan pepejal yang dipam dengan laser Vertical Stack Diode sangat luas, seperti bidang ketenteraan, perubatan, industri dan lain-lain.