Diod kristal untuk semikonduktor jenis-p dan pembentukan persimpangan pn semikonduktor jenis-n, di lapisan muatan ruang terbentuk di kedua-dua sisi antara muka, dan sejak itu telah membina medan elektrik. Apabila tidak ada voltan luaran, hasil persimpangan pn di kedua-dua sisi arus penyebaran kecerunan kepekatan pembawa dan membina medan elektrik arus hanyut dalam keseimbangan elektrik adalah sama.
Apabila bahagian luar apabila terdapat voltan mengimbangi positif, medan elektrik luaran dan membina kesan perencatan bersama medan elektrik untuk meningkatkan penyebaran pembawa telah menyebabkan arus maju.
Apabila di luar apabila terdapat voltan bias terbalik, pembinaan medan elektrik oleh medan elektrik luaran dan seterusnya menguatkan dan membentuk julat voltan terbalik tertentu dari nilai voltan bias terbalik dari arus tepu terbalik I0.
Apabila voltan terbalik ke tahap tertentu, kekuatan medan elektrik persimpangan pn dalam proses pendaraban pembawa lapisan ruang-ruang mencapai nilai kritikal, menghasilkan sebilangan besar pasangan lubang elektron, begitu besar arus pemecahan terbalik dihasilkan, dikenali sebagai fenomena pemecahan diod.